文章列表
联系我们 产品咨询

联系人:吴海丽
电话:0755-2349 0212
手机:157-1205-5037
邮箱:tel-sherry@foxmail.com
地址:广东省深圳市龙华新区民治街道向南四区松花大厦

  >>您当前位置:海飞乐技术安徽快3 > IGBT驱动厂家 >

1200V碳化硅MOSFET系列选型

作者:海飞乐技术 时间:2019-08-09 15:09

  SiC材料与目前应该广泛的Si材料相比,较高的热导率决定了其高电流密度的特性,较高的禁带宽度又决定了SiC器件的高击穿场强和高工作温度。其具有禁带宽度大、击穿电场强度高、热导率高、电子饱和速率高等特点,更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
 
  海飞乐技术SiC MOSFET在开发与应用方面,实现了传统型半导体(Si)实现不了的低损耗,包括提高效率、提升功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本。尤其在高压工作环境下,依然体现优异的电气特性,其高温工作特性,大大提高了高温稳定性,也大幅度提高电气设备的整体效率。
 
  产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。

1200V碳化硅MOSFET低导通电阻 
 
1200V碳化硅MOSFET系列选型
1200V碳化硅MOSFET芯片1200V碳化硅MOSFET封装 
1200V碳化硅MOSFET系列选型 
 
 




上一篇:安森美高功率应用TO247封装IGBT单管
下一篇:650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型

江苏快3走势 秒速时时彩官网 秒速时时彩开奖 秒速时时彩官网 北京赛车时间表 秒速时时彩 北京赛车时间表 秒速时时彩官网 秒速时时彩平台 秒速时时彩