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FF450R12ME4_专用IGBT驱动板

作者:海飞乐技术 时间:2018-05-22 22:50

  FF450R12ME4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块,具有沟槽结构,并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层,这个附加层被称为电场终止(fieldstop),这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小,加上 IGBT3 具有更高电流密度,它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达175℃,运行温度最高可达150℃。低损耗,FF450R12ME4 IGBT模块具有低EMI噪声,高可靠性,高运行结温等优点。主要应用在100KW光伏逆变器,电机驱动,电源等领域。
 
  FF450R12ME4 规格参数
  产品种类:  IGBT 模块    
  制造商:  Infineon    
  RoHS:  符合RoHS    
  产品:  IGBT Silicon Modules    
  配置:  Dual    
  集电极—发射极最大电压 VCEO:  1200 V    
  集电极—射极饱和电压:  2.1 V    
  在25 C的连续集电极电流:  675 A    
  栅极—射极漏泄电流:  400 nA    
  Pd-功率耗散:  2250 W    
  最大工作温度:  + 150 C    
  商标:  Infineon Technologies   
  栅极/发射极最大电压:  +/- 20 V   
  最小工作温度:  - 40 C   
  安装风格:  Screw  
 
  海飞乐技术研发生产的2HF0220-12是一款双通道即插即用大功率IGBT驱动板,板上集成了IGBT驱动所需的全部器件,包括两路隔离的DC/DC变换器以及死区电路、短路保护电路等。2HF0220-12每通道的驱动能力为:2W/±20A/30kHz,产品专为EconoDUAL™3封装的大功率IGBT模块设计。
  2HF0220-12具有出色的电磁兼容能力,适用于各种EconoDUAL™3封装的大功率IGBT模块驱动。适用于驱动1200V的IGBT模块,与瑞士CONCEPT公司的2SP0115T相比,2HF0220-12的输出功率更大,达到了2W*2,因此可以用于更大功率和更高频率的IGBT驱动。

FF450R12ME4 专用2HF0220-12 IGBT驱动 
FF450R12ME4 专用2HF0220-12 IGBT驱动
  
2HF0220-12特性指标
2HF0220-12特性指标
 
2HF0220-12的外形尺寸图 
2HF0220-12的外形尺寸图
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  海飞乐IGBT驱动板2HF0220-12应用手册 在线阅读  PDF资料下载




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